SK keyfoundry宣布推出具備業(yè)界領(lǐng)先高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質(zhì) (Thick IMD)電容工藝。該工藝支持堆疊最多三層IMD，每層最大厚度達(dá)6微米，從而在金屬-絕緣體-金屬(MIM)結(jié)構(gòu)中，總厚度最高可達(dá)到18微米。該工藝可提供高達(dá)19,000V的擊穿電壓特性及優(yōu)異電容性能，預(yù)計(jì)將用于制造數(shù)字隔離用電容器，以及電子電路中抑制電容耦合的電容器。采用此工藝制造的電容已成功通過主要客戶的經(jīng)時(shí)介電層擊穿(TDDB)評估，并符合AEC-Q100國際汽車半導(dǎo)體質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。（美通社）
