SK海力士于8月3日宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存。SK海力士向客戶發(fā)送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的樣品，并計(jì)劃在2023年上半年正式投入量產(chǎn)。238層NAND閃存成功堆棧更高層數(shù)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最小的面積。新產(chǎn)品每單位面積具備更高的密度，借其更小的面積能夠在相同大小的硅晶片生產(chǎn)出更多的芯片，因此相比176層NAND閃存其生產(chǎn)效率也提高了34%。此外，238層NAND閃存的數(shù)據(jù)傳輸速度為2.4Gbps，相比前一代產(chǎn)品提高了50%，芯片讀取數(shù)據(jù)時(shí)的能源消耗也減少了21%。（全球TMT）