三星電子宣布基于3納米全環(huán)繞柵極(Gate-All-AroundT，簡稱GAA)制程工藝節(jié)點的芯片已經(jīng)開始初步生產(chǎn)。3nmGAA技術(shù)采用了更寬通的納米片，與采用窄通道納米線的GAA技術(shù)相比能提供更高的性能和能耗比。3納米GAA技術(shù)上，三星能夠調(diào)整納米晶體管的通道寬度，優(yōu)化功耗和性能，從而能夠滿足客戶的多元需求。與三星5nm工藝相比，第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少35%。（全球TMT）
